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序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
1 | CN205665264U | 一种高精度低g值SOI微加速度计 | 2016.10.26 | 本实用新型公开一种高精度低g值SOI微加速度计,包括由上至下设置的结构层、绝缘层、衬底层和基底层,绝 |
2 | CN103762420B | 一种太赫兹波背腔式片载天线 | 2016.08.17 | 本发明公开了一种太赫兹波背腔式片载天线,包括依次重叠设置的底层金属层、介质层、顶层金属层,所述顶层金 |
3 | CN105762117A | 一种LTCC基板的交错层叠三维封装结构 | 2016.07.13 | 本发明提供了一种LTCC基板的交错层叠三维封装结构,包括底层LTCC基板、中间层LTCC基板和顶层L |
4 | CN105763332A | 一种基于多点函数拟合的波前反馈控制算法 | 2016.07.13 | 本发明公开了一种基于多点函数拟合的波前反馈控制算法,属于安全认证技术以及光学成像技术领域;本发明针对 |
5 | CN105784222A | 体声波壁面剪切应力传感器 | 2016.07.20 | 本发明公开了体声波壁面剪切应力传感器,包括基底、支撑层、检测元件、敏感元件、外壳、上盖板和读出电路, |
6 | CN103745969B | 光通讯互联TXV 3D集成封装及封装方法 | 2016.08.17 | 本发明公开了一种光通讯互联TXV 3D集成封装及封装方法,解决现有技术工艺复杂、集成度低、工作频率受 |
7 | CN105891900A | 一种主动式太赫兹二维高速扫描成像安检系统 | 2016.08.24 | 本发明公开了一种主动式太赫兹二维高速扫描成像安检系统,整个系统包括信号采集与控制子系统、射频子系统、 |
8 | CN105891545A | 一种高精度低g值SOI微加速度计 | 2016.08.24 | 本发明公开一种高精度低g值SOI微加速度计,包括由上至下设置的结构层、绝缘层、衬底层和基底层,绝缘层 |
9 | CN205723496U | 一种微组装小型化的三维微波电路结构 | 2016.11.23 | 本实用新型公开了一种微组装小型化的三维微波电路结构,包括LTCC基板、可伐金属载板、有机基板、带隔墙 |
10 | CN106065948A | 一种记忆合金圈密封装置 | 2016.11.02 | 本发明公开了一种记忆合金圈密封装置,该装置主要包括外筒、记忆合金圈和端盖,记忆合金圈分为外记忆合金圈 |
11 | CN106057883A | 一种高迁移率晶体管的制作方法 | 2016.10.26 | 本发明公开了一种高迁移率晶体管(HEMT)的制作方法,属于微电子技术领域,涉及半导体器件制作,该方法 |
12 | CN105807305A | 一种双波长脉冲激光辐射剂量率效应模拟系统 | 2016.07.27 | 本发明公开了一种双波长脉冲激光辐射剂量率效应模拟系统,该系统包括双波长脉冲激光产生系统、脉冲激光双光 |
13 | CN105756441A | 原位溅射型单次试开固态密码锁 | 2016.07.13 | 本发明公开了原位溅射型单次试开固态密码锁,包括鉴别电路和保险丝,鉴别电路由溅射型OFF‑ON开关实现 |
14 | CN205670539U | 一种有机基板高密度集成的三维微波电路结构 | 2016.11.02 | 本实用新型公开了一种有机基板高密度集成的三维微波电路结构,包括内埋置无源器件的微波有机基板、带隔条的 |
15 | CN105680921A | 一种三维毫米波阵列收发系统 | 2016.06.15 | 本发明公开了一种三维毫米波阵列收发系统,主要解决了传统的毫米波集成电路的系统稳定性差、适用性差等问题 |
16 | CN205725679U | 单片集成的体声波双工器 | 2016.11.23 | 本实用新型公开了一种单片集成的体声波双工器,由发射带通滤波器、接收带通滤波器和移相器构成,其中,发射 |
17 | CN106253871A | 一种通带展宽的BAW梯型滤波器及其制造方法 | 2016.12.21 | 本发明公开了一种通带展宽的BAW梯型滤波器及其制造方法,该滤波器包括制备于衬底上的彼此互连的m个串联 |
18 | CN205784908U | 一种新型空气炮等效加载试验装置 | 2016.12.07 | 本实用新型提供了一种新型空气炮等效加载试验装置,该方案包括有空气炮、空气炮加载弹、过载试验模拟弹和固 |
19 | CN103762416B | 一种太赫兹波片载-波导-喇叭转换天线 | 2016.12.07 | 本发明公开了一种太赫兹波片载‑波导‑喇叭转换天线,包括依次首尾相连的介质谐振器加载片载天线、片载天线 |
20 | CN104202010B | 一种镂空空腔型薄膜体声波谐振器及其制作方法 | 2017.05.03 | 本发明涉及一种镂空空腔型薄膜体声波谐振器及其制作方法,该声波谐振器包括硅衬底、牺牲层和压电薄膜换能器 |
21 | CN106602099A | 一种采用热激活方式的新型储备电池 | 2017.04.26 | 一种采用热激活方式的新型储备电池,包括电池外壳、加热材料、载流体和单体电池,单体电池自上而下由正极材 |
22 | CN104681778B | 一种基于浆料涂覆法制备薄型热电池电解质极片的方法 | 2017.04.19 | 本发明属于电池制造领域,具体涉及一种基于浆料涂覆法制备薄型热电池电解质极片的方法。该方法将热电池电解 |
23 | CN104681780B | 一种基于浆料涂覆法制备薄型热电池正极‑电解质‑负极组合极片的方法 | 2017.04.19 | 本发明属于电池制造领域,具体涉及一种基于浆料涂覆法制备薄型热电池正极‑电解质‑负极的方法。该方法分别 |
24 | CN102684712B | 一种高效率调频发射机、功率放大器电路结构及设计方法 | 2017.04.19 | 本发明公开了一种高效率调频发射机,涉及无线测控通信技术的发射装置,包括调频源、功率放大器、隔离器、供 |
25 | CN206056613U | 一种体声波传感器读出电路 | 2017.03.29 | 本实用新型公开了一种体声波传感器读出电路,包括BAW振荡器和频率检测电路;BAW振荡器包括FBAR和 |
26 | CN104242864B | 具有温度补偿和谐振频率修调功能的FBAR及滤波器 | 2017.03.29 | 本发明公开了具有温度补偿和谐振频率修调功能的FBAR及滤波器,其中FBAR包括衬底、温度补偿和谐振频 |
27 | CN206054733U | 一种记忆合金圈密封装置 | 2017.03.29 | 本实用新型公开了一种记忆合金圈密封装置,该装置主要包括外筒、记忆合金圈和端盖,记忆合金圈分为外记忆合 |
28 | CN106533645A | 基于微波电桥网络进行信道分离的方法及其微波电桥网络 | 2017.03.22 | 本发明公开了一种基于微波电桥网络进行信道分离的方法及其微波电桥网络,该网络是将两个信号分别输入至发射 |
29 | CN106506034A | 一种低噪声开关双工器 | 2017.03.15 | 本发明公开了一种低噪声开关双工器,包括单刀双掷开关一、单刀双掷开关二、单刀双掷开关三、单刀双掷开关四 |
30 | CN106501548A | 一种双差分的全硅结构的微加速度计及其制造方法 | 2017.03.15 | 本发明公开了一种双差分全硅结构的微加速度计及其制造方法,涉及微电子机械系统领域。本发明首先通过基底耦 |
31 | CN104681776B | 一种基于浆料涂覆法制备薄型热电池加热粉片的方法 | 2017.02.22 | 本发明属于电池制造领域,具体涉及一种基于浆料涂覆法制备薄型热电池加热粉片的方法。该方法将热电池加热粉 |
32 | CN104681777B | 一种基于浆料涂覆法制备薄型热电池正极‑电解质‑负极‑加热粉组合极片的方法 | 2017.02.22 | 本发明属于电池制造领域,具体涉及一种基于浆料涂覆法制备薄型热电池正极‑电解质‑负极‑加热粉组合极片的 |
33 | CN106449442A | 一种高频芯片波导封装的倒装互连工艺方法 | 2017.02.22 | 本发明公开了一种高频芯片波导封装的倒装互连工艺方法,属于微电子器件互连封装领域,该方法基于倒装焊技术 |
34 | CN106435679A | 一种降低陶瓷电镀镍层起泡的方法 | 2017.02.22 | 本发明提供了一种降低陶瓷电镀镍层起泡的方法,所述的方法包括表面处理、电镀、冲洗、脱水、吹干、测厚、后 |
35 | CN104485976B | 一种高动态弱复合码扩频信号快速捕获方法 | 2017.02.22 | 本发明公开了一种高动态弱复合码扩频信号快速捕获方法,涉及无线测控通信技术领域,将中频模拟信号进行AD |
36 | CN106409663A | 一种制备高阻断电压碳化硅功率器件的方法 | 2017.02.15 | 本发明公开了一种制备高阻断电压碳化硅功率器件的方法,包括以下步骤:先通过化学清洗、刻蚀及离子注入等工 |
37 | CN103823234B | 一种脉冲带电粒子束探测器 | 2017.02.08 | 本发明提供了一种脉冲带电粒子束探测器,所述探测器设置有一探测板,探测板将脉冲带电粒子束分为多个不相邻 |
38 | CN106384692A | 一种Z型梁结构的微惯性开关 | 2017.02.08 | 本发明提供了一种Z型梁结构的微惯性开关,所述微惯性开关是采用了MEMS技术加工的低g值微惯性开关芯片 |
39 | CN205944027U | 一种射线管 | 2017.02.08 | 本实用新型提供了一种射线管,所述射线管包括离子源、阴极、阳极,离子源的电位和阳极的电位均高于阴极的电 |
40 | CN205940822U | 体声波壁面剪切应力传感器 | 2017.02.08 | 本实用新型公开了体声波壁面剪切应力传感器,包括基底、支撑层、检测元件、敏感元件、外壳、上盖板和读出电 |
41 | CN205918251U | 原位溅射型单次试开固态密码锁 | 2017.02.01 | 本实用新型公开了原位溅射型单次试开固态密码锁,包括鉴别电路和保险丝,鉴别电路由溅射型OFF‑ON开关 |
42 | CN205921566U | 一种通带展宽的BAW梯型滤波器 | 2017.02.01 | 本实用新型公开了一种通带展宽的BAW梯型滤波器,该滤波器包括制作在衬底上的彼此互连的m个串联和n个并 |
43 | CN106341132A | 时间交织采样ADC的误差盲校正方法 | 2017.01.18 | 本发明公开了一种时间交织采样ADC的误差盲校正方法,涉及数模混合电路及信号处理技术领域。本发明无需事 |
44 | CN104062981B | 一种太赫兹无线收发系统的自动对准跟踪方法和系统 | 2017.01.18 | 本发明涉及一种太赫兹无线收发系统的自动对准跟踪方法和系统,是基于太赫兹频段空间位置信息交换的开环和单 |
45 | CN106301226A | 一种微带线与悬置微带线相结合的太赫兹倍频器 | 2017.01.04 | 本发明公开了一种微带线与悬置微带线相结合的太赫兹倍频器,包括倍频器金属腔体、电路基片、二极管芯片,二 |
46 | CN106276783A | 一种高频芯片的低损耗互连工艺方法 | 2017.01.04 | 本发明公开了一种高频芯片的低损耗互连工艺方法,属于微电子器件互连封装领域,该方法采用MEMS微加工工 |
47 | CN106299572A | 一种应用于太赫兹频段的新型波导极化模式转换膜片结构 | 2017.01.04 | 本发明公开连一种应用于太赫兹频段的新型波导极化模式转换膜片结构,整个膜片呈圆片结构,圆片上以圆心为中 |
48 | CN106301230A | 一种基于厚基板肖特基二极管CPW集成单平衡混频器 | 2017.01.04 | 本发明公开了一种基于厚基板肖特基二极管CPW集成单平衡混频器,包括输入输出GSG探针、射频本振匹配、 |
49 | CN205788237U | 一种可重构并防窥探的光学PUF | 2016.12.07 | 本实用新型公开了一种可重构并防窥探的光学PUF,包括衬底、生长于衬底上的介质纳米颗粒层以及在介质纳米 |
50 | CN205713531U | 原位焊接型单次试开固态密码锁 | 2016.11.23 | 本实用新型公开了原位焊接型单次试开固态密码锁,包括鉴别电路和保险丝,鉴别电路由焊接型OFF‑ON开关 |
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